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溅射靶材的技术要求

发布时间:2014-11-16  来源:广光晶研  浏览次数:  分享到:

 

纯度
靶材的纯度对溅射喷膜的性能影响很大。靶材的纯度越高,溅射喷膜的性能越好。以纯A1靶为例,纯度越高,溅射A1膜的耐蚀性及电学、光学性能越好。不过在实际应用中,不同用途的靶材对纯度的要求不同。例如,一般工业用靶材对纯度并不苛求,而半导体、显示器件等领域用靶材对纯度的要求十分严格;磁性薄膜用靶材的纯度要求一般为99.9%以上,ITO靶中In2O3和SnO2的纯度要求不低于99.99%。表列出了常用金属靶材的纯度。
表 常用金属靶材的纯度
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杂质含量
靶材作为溅射中的阴极源,固体中的杂质和气孔中的O2和H2O是沉积薄膜的主要污染源。靶材对纯度的要求也就是对杂质总含量的要求。杂质总含量越低,纯度就越高。此外,不同用途靶材对单个杂质含量也有不同的要求。例如,半导体电极布线用的W,Mo,Ti等靶材对U,Th等放射性元素的含量要求低于3×10-9;光盘反射膜用的Al合金靶材则要求O2含量低于2×10-4.下表列出了几种高纯金属难熔金属靶材的杂质含量。; Y/ N8 j( m( }
表 几种高纯难熔金属靶材的杂质质量 Z d: c7 ~5 Z" h2 \$ k7 C; t
Tab. Impurity concertration of some high purity refractory metal target materials $ a0 o3 f3 g* Y. m
靶材 密实度/% 杂质含量/1×10-6